DRAM MODULE

Osnovana 2008. godine, naša grupacija je u području OEM flash memorije skoro 15 godina, OEM DRAM modul, OEM SSD, OEM USB FLASH DRIVE, OEM TF KARTICA, kao profesionalni dobavljač OEM flash memorije, koncentrisani smo na pružanje usluga kupcima velikih brendova , glavni trgovci i distributeri u zemlji. Da bismo bolje podržali trgovce i distributere u zemlji, imamo redovnu gotovu robu u Hong Kongu i ShenZhenu, prodali smo više od 1 milion komada svakog mjeseca.

Pošaljite upit

Uglavnom podržavamo DDR3, DDR4 za kupce koji također posluju sa SSD diskovima, za kupce brendova ili tvornice računara, također imamo LPDDR koji sada podržava samo glavne korisnike mobilnih telefona i IPAD-a u Kini i neke kupce pametnih satova. Sa svojim visokim performansama i nižom potrošnjom, dobar je za male pametne uređaje.

Dram/LPDDR tehnički parametar:

KATEGORIJA PROIZVODA	SPECIFIKACIJA / MAKSIMALNA BRZINA PODATAKA	DENSITY	PAKET	OPERATING TEMPERATURA
DRAM	DRAM D3	2Gb / 4Gb	FBGA 96 Lopta	25 stepeni ~85 stepeni
DRAM	DRAM D4	4Gb / 8Gb	FBGA 96 Lopta
DRAM modul	U-DIMM	4GB / 8GB / 16GB/32GB	/	0 stepen - 85 stepen
	SO-DIMM
	R-DIMM	8GB/16GB/32GB	/	0 stepen - 85 stepen
LPDDR	LP DDR4	2GB / 3GB / 4GB / 6GB / 8GB	200Ball	0 stepen - 70 stepen

specifikacije:

Br. modela proizvoda	Specifikacija	Gustina	Dimenzija	Paket
DRAM U-DIMM /SO-DIMM	8GB X8/X16 1.2V*2666/2933/3200Mbps	8GB	7,5 x 13,3 mm (W x L)	78Ball/96Ball
DRAM U-DIMM /SOD-IMM	16GB X8/X16 1.2V*2666/2933/3200Mbps	16 GB	10,3 x 11 mm (W x L)	78Ball/96Ball
DRAM U-DIMM /SO-DIMM	32GB X8/X16 1.2V*2666/2933/3200Mbps	32GB	10,3 x 11 mm (W x L)	78Ball/96Ball

Dostupni modul:

Broj dijela 1)	Gustina	Organizacija	Component Composition	Broj Rang	Visina
4GB UDIMM	4GB	512Mx64	512Mx16 * 4	1	31,25 mm
8GB UDIMM	8GB	1Gx64	1Gx8 * 8	1	31,25 mm
16GB UDIMM	16 GB	2Gx64	1Gx8 * 16	2	31,25 mm
4GB SODIMM	4GB	512Mx64	512Mx16 * 4	1	30 mm
8GB SODIMM	8GB	1Gx64	1Gx8 * 8	1	30 mm
16GB SODIMM	16 GB	2Gx64	1Gx8 * 16	2	30 mm

BILJEŠKA:

1) (2133Mbps 15-15-15) / (2400Mbps 17-17-17) / (2666Mbps 19-19-19) / (3200Mbps 22-22-22) / (3200 Mbps 16-18-18) - DDR{ {12}}(3200Mbps 16-18-18) je kompatibilan sa nižom frekvencijom.

KLJUČNE KARAKTERISTIKE

Brzina	DDR4-2133	DDR4-2400	DDR4-2666	DDR4-3200	DDR4-3200	DDR4-3200	Jedinica
Brzina	15-15-15	17-17-17	19-19-19	22-22-22	19-19-19	16-18-18	Jedinica
tCK(min)	0.938	0.833	0.75	0.625	0.625	0.625	ns
CAS Latency	15	17	19	22	19	16	nCK
tRCD (min)	14.06	14.16	14.25	13.75	11.875	11.25	ns
tRP(min)	14.06	14.16	14.25	13.75	11.875	11.25	ns
tRAS(min)	33	32	32	32.5	30.0	22.5	ns
tRC(min)	47.06	46.16	46.25	46.25	41.875	33.75	ns

●JEDEC standard 1.2V ± 0.06V napajanje

●V_DDQ= 1.2V ± 0.06 V

●1067MHz f_CKza 2133Mb/sec/pin, 1200MHz f_CKza 2400Mb/sec/pin 1333MHz fCK za 2666Mb/sec/pin, 1600MHz fCK za 3200Mb/sec/pin

●16 banaka (4 grupe banaka)

●Programabilna CAS latencija: 10 ,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,21, 22

●Programabilna aditivna latencija (objavljen CAS): 0, CL - 2 ili CL - 1 sat

●Programabilna CAS latencija pisanja (CWL)=11,14 (DDR4-2133), 12,16 (DDR4-2400) i 14,18 (DDR4- 2666) • Burst Length : 8, 4 sa tCCD=4 koji ne dozvoljava neometano čitanje ili pisanje [bilo u pokretu koristeći A12 ili MRS]

●Bi-directional Differential Data Strobe

●On Die Termination koristeći ODT pin

●Prosječni period osvježavanja 7,8us na nižem od TCASE 85C, 3,9us na 85C < TCASE  95C

●Asinhroni reset

FUNKCIONALNI BLOK DIJAGRAM za:

4GB, 512M x 64Module (Popunjeno kao 1 rang x16DDR4 SDRAM-a)

BILJEŠKA :

1) Osim ako nije drugačije naznačeno, vrijednosti otpornika su 150Ω 5 posto.

2) ZQ otpornici su 2400Ω 1 posto. Za sve ostale vrijednosti otpornika pogledajte odgovarajući dijagram ožičenja.

8GB,1Gx64Module (popunjeno kao 1 rang od x 8DDR4 SDRAM-a)